材料特性直接决定蚀刻工艺路径，从单晶硅到化合物半导体，需匹配特定蚀刻剂与设备参数。
硅基材料的蚀刻策略
单晶硅：干法蚀刻常用SF₆/C₄F₈混合气体，SF₆负责刻蚀，C₄F₈生成钝化层控制侧壁形貌。
多晶硅：需更高离子能量打破晶界屏障，通常采用BCl₃/Cl₂气体组合提升各向异性。
宽禁带半导体的挑战
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）因化学惰性强，传统硅蚀刻配方效率低。解决方案包括：
高温蚀刻：将腔体加热至300℃以上，增强反应气体（如Cl₂）与SiC的活性。
金属辅助蚀刻：在表面沉积镍层作为催化剂，提升蚀刻速率3-5倍。
金属与介质的兼容性
铜布线蚀刻易产生残留，行业转向“大马士革工艺”（先蚀刻介质层再填铜）。铝蚀刻则需控制Cl₂/BCl₃比例，避免腐蚀设备腔体。
