从LCD到Micro LED，显示技术的升级始终依赖蚀刻工艺对材料的极致掌控。
TFT背板的图形化
薄膜晶体管（TFT）制造需7-10次蚀刻步骤：
金属层蚀刻：Mo/Al/Mo叠层用磷酸/硝酸/醋酸混合液湿法刻蚀，确保电极导通电性。
半导体层蚀刻：a-Si或IGZO采用干法蚀刻，保护层界面免受等离子体损伤。
OLED像素精确分割
OLED发光层的精细隔离需使用阴影掩膜（FMM），但其精度受限。最新激光蚀刻技术可直接在有机材料上加工5微米宽像素，提升屏幕分辨率至3000 PPI。
柔性屏的蚀刻革新
聚酰亚胺（PI）基板上的铜电路通过卷对卷蚀刻工艺生产，采用FeCl₃溶液实现20微米线宽，弯曲次数超10万次无断裂。
