蚀刻工艺是微纳制造的核心技术之一，通过选择性移除材料实现精密图形化。其本质是化学反应与物理作用的结合，广泛应用于半导体、显示面板及精密器件领域。
化学蚀刻与物理蚀刻的差异
湿法蚀刻：依赖化学溶液（如HF酸刻蚀二氧化硅，HNO₃/HCl刻蚀金属），通过各向同性刻蚀实现快速加工，但精度受扩散限制。
干法蚀刻：以等离子体（如RIE、ICP）中的高能离子轰击材料表面，实现各向异性刻蚀，精度可达纳米级，适用于复杂三维结构。
关键参数的控制逻辑
蚀刻速率、选择比（目标材料与掩膜/下层材料的蚀刻速率比）和均匀性是核心指标。例如，在硅刻蚀中，Cl₂气体浓度升高会提升速率，但过量会导致侧壁粗糙度增加。通过调节射频功率和气压，可优化离子能量与方向性。
失效模式与解决方案
过刻蚀：因时间控制偏差导致下层材料损伤，需通过终点检测系统（如激光干涉仪）实时监控。
残留物：蚀刻副产物堆积可能堵塞结构，采用原位清洗（如O₂等离子体氧化分解有机物）可减少停机时间。
